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MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 70A (Tc) 385W (Tc) Orificio pasante 20-HSDIP
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BST70B2P4K01-VC

N.º de producto de DigiKey
846-BST70B2P4K01-VC-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
BST70B2P4K01-VC
Descripción
HSDIP20, 1200V, 70A, FULL-BRIDGE
Plazo estándar del fabricante
27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 70A (Tc) 385W (Tc) Orificio pasante 20-HSDIP
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Caja
Estado de pieza
Activo
Tecnología
Carburo de silicio (SiC)
Configuración
Canal 4 N (puente completo)
Característica de FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
70A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
25mOhm a 70A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
4.8V a 22.2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
170nC a 18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4500pF a 800V
Potencia - Máx.
385W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)
Módulo 20-PowerDIP (1.508", 38.30mm)
Paquete del dispositivo del proveedor
20-HSDIP
Preguntas y respuestas sobre el producto

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Caja
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$110.36000$110.36
10$92.66600$926.66
60$84.96733$5,098.04
120$82.88500$9,946.20
Paquete estándar del fabricante