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Diodos TVS


Proteja sus diseños con la amplia gama de supresores de voltaje transitorio.

Supresores de voltaje transitorio Littelfuse®

Los diodos TVS de Littelfuse se utilizan para proteger los componentes de semiconductores contra los transitorios de alto voltaje. Las conexiones p-n de estos dispositivos tienen áreas transversales más amplias que las de los diodos normales, lo cual les permite conducir grandes corrientes a tierra sin sufrir daños. Littelfuse provee diodos TVS con potencias nominales máximas de 200 W a 15 kW y voltajes de separador invertido de 5 V a 495 V.

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¿Qué son los diodos TVS y cómo podemos compararlos? Definición de diodos TVS.

Los diodos TVS son componentes electrónicos diseñados para proteger equipos electrónicos sensibles contra los transitorios de alto voltaje. Pueden responder a eventos de sobrevoltaje más rápido que la mayoría de los otros tipos de dispositivos de protección de circuitos y se ofrecen en una variedad de formatos de montaje en placa de circuito de orificio pasante y de montaje en superficie.

El dispositivo funciona al limitar el voltaje a un cierto nivel (conocido como dispositivo de "sujeción") con conexiones p-n que tienen un área transversal más amplia que las de un diodo normal, lo cual permite al diodo TVS conducir grandes corrientes a tierra sin sufrir daños.

Los diodos TVS se utilizan generalmente para brindar protección contra la sobrecarga eléctrica, como la inducida por rayos, conmutación de carga inductiva y descarga electrostática (ESD) asociada con líneas de datos o transmisión y circuitos electrónicos.

Sin bien los diodos TVS de Littelfuse pueden adaptarse a una amplia variedad de aplicaciones de protección de circuitos, fueron diseñados principalmente para proteger las interfaces de E/S en equipos industriales y de telecomunicaciones, computadoras y productos electrónicos de consumo.

Los diodos TVS de Littlefuse ofrecen las siguientes características:

  • Resistencia a la sobrecorriente por incremento bajo
  • Polaridades unidireccionales y bidireccionales disponibles
  • Rango de voltajes de separador invertido de 5 a 512 V
  • Revestimiento de estaño mate, sin plomo, que cumple con la directiva RoHS
  • Potencias nominales de montaje en superficie de 200 W a 5,000 W
  • Potencias nominales de conductor axial de 400 W a 30,000 W (30 kW)
  • Protección contra corriente de alta potencia disponible para 3kA a 10kA
  • Calificación AEC para determinadas series

Para obtener información acerca de otras tecnologías de supresión de transitorios y sobre cómo compararlas, consulte la Nota de aplicación AN9768 de Littelfuse.

Comparación con otras tecnologías de diodos:

Clase de diodo Aplicación Observaciones
Diodo convencional, rectificador Control de alimentación Útil para altas corrientes "de mando"; conversión de CA a CC. Típicamente se encuentra en paquetes grandes como TO-220.
Diodo Zener Control de alimentación Útil para la regulación de voltaje CC en fuentes de alimentación. Típicamente se encuentra en paquetes de tamaño medio a grande (axial, TO-220).
Diodo de avalancha de silicio (SAD), supresor de voltaje transitorio (TVS) Protección contra sobrevoltaje Útil para proteger circuitos expuestos a eventos de alta energía, como sobrevoltaje inducido por rayo o transitorios de voltaje provenientes, contra la conmutación mecánica de circuitos eléctricos (EFT). Típicamente se encuentra en paquetes de tamaño medio (axial, DO-214).
Matriz de diodos Protección contra sobrevoltaje Las matrices de diodos entran en la categoría más amplia de matrices de protección de silicio (SPA), que están destinadas a la protección contra descarga electrostática (ESD). Típicamente se encuentra en paquetes pequeños de montaje en superficie (SOIC-8, SOT-23, SC-70, etc.).
Diodo Schottky Control de alimentación Útil para rectificación de alta frecuencia (HF) requerida para fuentes de alimentación en modo de conmutación.
Diodo varactor Ajuste de RF Única aplicación conocida de los diodos que aprovecha los beneficios de la característica de capacitancia de conexión.


Comparación por características operativas:

Clase de diodo Voltaje de ruptura inverso
(VBR, VZ)
Capacitancia (CJ) Observaciones
Diodo convencional, rectificador 800-1500 V Muy alta Conversión de alimentación CA a CC
Diodo Zener Hasta 100 V Media a alta Regulación de alimentación CC
Diodo de avalancha de silicio (SAD) Hasta 600 V Media Protección contra voltaje transitorio y sobrevoltaje inducido por rayo
Matriz de diodos Hasta 50 V Baja (< 50 pF) Protección contra ESD de circuitos de datos de alta frecuencia

Comparación por construcción de dispositivo:

Un diodo Schottky está formado por una conexión de metal a semiconductor. Eléctricamente, conduce a través del portador mayoritario y posee rápida respuesta con menor pérdida de corriente y voltaje de polarización directo (VF). Los diodos Schottky son ampliamente utilizados en circuitos de alta frecuencia.


Los diodos Zener están formados por una conexión de semiconductor P-N altamente dopada. Hay dos efectos físicos que pueden conocerse como un estado Zener (efecto Zener y efecto avalancha). El efecto Zener ocurre cuando hay un bajo voltaje inverso aplicado a la conexión p-n que conduce debido al efecto cuántico. El efecto avalancha ocurre cuando un voltaje superior a 5.5 voltios se aplica en forma inversa a la conexión p-n durante la cual el par electrón-hueco generado colisiona con la malla. Los diodos Zener basados en el efecto Zener son ampliamente utilizados como fuentes de referencia de voltaje en circuitos de electrónica.

Un diodo TVS se forma mediante una unión de semiconductor P-N diseñado especialmente para la protección de sobretensión. La conexión p-n está generalmente revestida para evitar la formación prematura de arco eléctrico de voltaje durante un estado de no conducción. Cuando hay un evento de voltaje transitorio, el diodo TVS conduce para sujetar el voltaje transitorio utilizando el efecto avalancha. Los diodos TVS se utilizan comúnmente como dispositivo de protección de circuitos de sobrevoltaje en mercados de telecomunicaciones, productos electrónicos generales y productos digitales de consumo para protección contra rayos, ESD y otros transitorios de voltaje.


SPA significa matrices de protección de silicio (Silicon Protection Arrays). Es una matriz de diodos de conexiones p-n integradas, SCR (rectificadores controlados de silicio) u otras estructuras de protección de silicio empaquetadas en estructuras de varias clavijas. La SPA puede utilizarse como una solución integrada para protección contra ESD, rayos y EFT para mercados de telecomunicaciones, productos de electrónica en general y productos digitales de consumo en las que existen múltiples oportunidades de protección. Por ejemplo, puede utilizarse para protección contra ESD de puertos HDMI, USB y Ethernet.

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Aplicaciones de montaje en superficie: estándar y automotriz (AEC-Q) (200-600 W)

Serie NUEVO SMF3.3 SMF SMAJ NUEVO SMF4L NUEVO TPSMF4L
(AEC-Q101)
P4SMA
Foto SMF3.3 SMF SMAJ SMF4L TPSMF4 P4SMA
Tipo de paquete SOD-123FL SOD-123 DO-214AC SOD-123FL SOD-123FL DO-214AC
Voltaje 
standoff
inverso
3.3 5.0-54 5.0-440 5.0-85 5.0-85 5.8.495
Pulso pico 
Rango de potencia
200 W 200 W 400 W 400 W 400 W 500 W
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Serie SACB TPSMA6L
(AEC-Q101)
SMA6L TPSMB
(AEC-Q101)
SMBJ P6SMB
Foto SACB TPSMA6L SMA6L TPSMB SMBJ P6SMB
Tipo de paquete DO-214AA DO-221AC DO-221AC DO-214AA DO-214AA DO-214AA
Voltaje 
standoff
inverso
5.0-50 5.0-85 5.0-85 11.10-77.8 5.0-440 5.8-495
Pulso pico 
Rango de potencia
500 W 600 W 600 W 600 W 600 W 600 W
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Aplicaciones de montaje en superficie: estándar y automotriz (AEC-Q) (1000-5000 W)

Serie 1KSMB SMCJ TPSMC
AEC-Q101
1.5SMC TPSMD
AEC-Q101
SMDJ 5.0SMDJ
Foto 1KSMB SMCJ TPSMC 1.5SMC TPSMD SMDJ 5.0SMDJ
Tipo de paquete DO-214AA DO-214AB DO-214AB DO-214AB DO-214AB DO-214AB DO-214AB
Voltaje 
standoff
inverso
5.8-136 5.0-440 10.2 - 77.8 5.8-492 10.0-43 5.0-170 12-170
unidireccional
12-45
bidireccional
Pulso pico 
Rango de potencia
1,000 W 1,500 W 1,500 W 1,500 W 3,000 W 3,000 W 5,000 W
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Aplicaciones con conductores axiales: estándar y automotriz (AEC-Q) (400-5000 W)

Serie P4KE SA SAC P6KE TP6KE
(AEC-Q101)
Foto P4KE SA SAC P6KE TP6KE
Tipo de paquete DO-41 DO-15 DO-15 DO-15 DO-204AC
Voltaje standoff
inverso
5.8-495 5.0-180 5.0-50 5.8-512 11.1 - 77.8
Pulso pico 
Rango de potencia
500 W 500 W 500 W 600 W 600 W
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Serie 1.5KE NUEVO TP1.5KE
(AEC-Q101)
LCE 3KP 5KP NUEVO TP5KP
(AEC-Q101)
Foto 1.5KE TP1.5KE LCE 3KP 5KP  TP5KP
Tipo de paquete DO-201 DO-201 DO-201 P600 P600 P600
Voltaje de separador
Voltaje
5.8-495 10.2-40.2 6.5-90 5.0-220 5.0-250 '11-60
Rango de potencia
Rango de potencia
1,500 W 1,500 W 1,500 W 3,000 W 5,000 W 5,000 W
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Alta potencia y automotriz (AEC-Q)

Serie SLD NUEVO SLD8S
(AEC-Q101)
15KPA 20KPA 30KPA
Foto SLD SLD8S 15KPA 20KPA 30KPA
Tipo de paquete P600 SMTO-263 P600 P600 P600
Voltaje standoff
inverso
10-24 12-57 17-280 20.0-300 28.0-288
Pulso pico 
Rango de potencia
5,000 W 7,000 W 15,000 W 20,000 W 30,000 W
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Serie LTKAK6 LTKAK10 AK3 AK6 AK10 AK15
Foto LTKAK6 LTKAK10 AK3 AK6 AK10 AK15
Tipo de paquete SMTO-218 SMTO-218 Conductor radial Conductor radial Conductor radial Conductor radial
Voltaje standoff
inverso
58-76 58-76 30-430 58-430 58-430 58-430
Corriente de pulso pico 
(8/20 us)
6,000 kA 10,000 kA 3,000 kA 6,000 kA 10,000 kA 15,000 kA
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