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¿Tiene problemas con la memoria? ¿Cuáles son sus problemas con la memoria?

Memorias de alto rendimiento para sistemas integrados

Logo de Cypress Semiconductor

Cypress celebra 35 años de liderazgo en la industria de semiconductores de memoria discreta. Desde el momento en que Cypress introdujo la primera Memoria de Acceso Aleatorio en 1982, Cypress ha continuado creciendo sobre su prestigio al equipar a sus clientes a nivel mundial con las mejores tecnologías de memorias. En la actualidad, Cypress le ofrece a nuestros clientes las memorias de mayor rendimiento y confiabilidad de tipo NOR Flash, NAND Flash, SRAM, nvSRAM, y F-RAM con densidades de memoria discreta que van desde 4 K-bit a 1 G-bit. Con una calidad inigualable y el compromiso de suministro, además de un sólido plan de futuras inversiones en nuevos productos de memoria, Cypress continuará siendo el líder de la industria en semiconductores de memoria discreta por muchas décadas por venir.

  Flash NOR Memorias HyperBus NAND Flash
NOR Flash serial NOR Flash paralela
Características Alto rendimiento y SPI cuádruple de bajo conteo de pines

El más alto rendimiento

Acceso aleatorio rápido y alto ancho de banda

El más alto rendimiento y bajo conteo de pines

Flash y DRAM basadas en HyperBus

Confiables, seguras y de alta densidad
Densidad 16 Mbit a 1 Gbit 8 Mbit a 2 Gbit 64 Mbit a 512 Mbit 1 Gb a 16 Gb
Voltaje 1.8 V y 3.0 V 1.8 V y 3.0 V 1.8 V y 3.0 V 1.8 V y 3.0 V
Paquetes
  F-RAM nvSRAM SRAM asincrónica SRAM sincrónica
Características Eficiencia de energía, confiabilidad, alta velocidad y resistencia Rápido tiempo de acceso superior a 20 ns y resistencia de escritura/lectura ilimitada Rápido tiempo de acceso (10 ns), baja corriente en espera, alta confiabilidad RTR de hasta 2132 MT/s, tasas FIT (inferiores a 0.01-FIT/Mb) y ECC
Densidad 4 Kb a 4 Mb 64 Kb a 16 Mb 256 Kb a 64 Mb 2 Mb a 144 Mb
Voltaje 3.0 V y 5.0 V 3.0 V (3.0 V/1.8 V E/S) y 5.0 V 1.8 V, 3.0 V y  5.0 V 1.3 V, 1.8 V, 3.3 V y 5.0 V
Paquetes

Flash NOR

Imagen de Flash NOR

Cypress ofrece un amplio rango de soluciones de memoria Flash NOR, entre ellas HyperFlash™, NOR serial y NOR paralelo con voltajes de 3.0-V y 1.8-V y densidades que abarcan de 8 Mb a 2 Gb.

  • HyperFlash ofrece un ancho de banda de hasta 333 MB/s, es decir, quintuplica la velocidad de una Flash Quad SPI. Además, ofrece un tercio de la cantidad de pines de Flash NOR paralela.
  • La memoria Flash NOR serial ofrece interfaz con poca cantidad de pines para una densidad superior a 1 Gb con las familias FL-S (3.0 V) y FS-S (1.8 V).
  • La memoria Flash NOR paralela ofrece una amplia variedad de productos de interfaz paralelo con una densidad de hasta 2 Gb.

Todos los productos se complementan con la calidad y el soporte de primer nivel. La cartera de memorias Flash NOR incluye varios dispositivos que admiten un rango de temperatura extendido (-40 °C a +125 °C), una calificación automotriz AEC-Q100 y soporte PPAP para clientes automotrices. Cypress está comprometido a ofrecer productos con ciclos de vida extendidos mediante el Programa de longevidad, que ofrece un conjunto compatible de funciones base durante 10 años para los dispositivos Flash NOR.

Familia Características principales Densidad  
HyperFlash
  • Ancho de banda de lectura de hasta 333 MB/s
  • Paquete pequeño de 48-mm2 y 24 bolas
  • Interfaz HyperBus™ de 12 pines y cantidad de pines baja
128 Mb – 512 Mb Página del producto HyperFlash
NOR serial
  • Cartera amplia de memorias NOR Flash
    Quad SPI de 3.0 V y 1.8 V
  • Frecuencia de operación DDR de 133 MHz SDR/80 MHz
  • Ancho de banda de lectura de hasta 80 MB/s
16 Mb – 1 Gb Página de productos NOR serial
NOR paralelo
  • Tiempo de acceso inicial de 55 – 110 ns
  • Tiempos de acceso a la página más rápidos de 15 ns
  • Ancho de banda de lectura de hasta 102 MB/s
8 Mb – 2 Gb Página de productos NOR paralelo

Flash NAND

Imagen de Flash NAND

Los productos NAND de Cypress ofrecen un almacenamiento de datos confiable y de alta densidad a la línea de productos flash de Cypress. Cypress aplica su proceso exigente para la calificación, la prueba, el soporte de temperatura extendido y el embalaje a su línea de productos SLC NAND.

La cartera de productos SLC NAND de alta fiabilidad y alto rendimiento de Cypress incluye dos familias de productos estándares que admite opciones ECC de 1 bit y 4 bits. Se encuentran disponibles las densidades de 1 Gb y 16 Gb. Cypress ofrece productos SLC NAND con temperaturas de funcionamiento de hasta +105 °C, paquetes compactos para adaptarse a factores de forma pequeños y cumplir con los estándares de calidad exigentes, entre ellos AEC-Q100 para aplicaciones automotrices.

Todas las memorias Flash NAND están diseñadas para el almacenamiento de datos en clústeres de instrumentos automotrices y sistemas de infoentretenimiento, equipos de comunicaciones, electrónica de consumo y automatización industrial.

Productos destacados NAND SLC

  • Densidades: 1 Gb a 16 Gb
  • Voltajes: opciones de 3 V y 1.8 V
  • Resistencia: 100,000 ciclos P/E (típico)
  • Retención de datos durante 10 años (típico)
  • Requisitos de ECC: opciones de 1 bit y 4 bits
  • Ancho de bus: opciones de x8 o x16
  • Temperatura:
    • Rango de temperatura industrial (-40 ºC a 85 ºC)
    • Rango de temperatura industrial adicional (-40 °C a 105 °C)
  • Paquetes:
    • TSOP de 48 pines y de 12 mm x 20 mm
    • BGA de 63 bolas y de 9 mm x 11 mm
    • BGA de 67 bolas y de 8 mm x 6.5 mm
  • Conforme a la interfaz Flash NAND abierta (ONFI) 1.0
  • Calificado según AEC-Q100
  • Los controladores complementarios, el sistema de archivos Flash de Cypress y las últimas hojas de datos de cada producto se pueden encontrar en la pestaña producto.
Familia Voltaje Interfaz Densidad  
MS-1 SLC NAND 1.8 V VCC E/S X8 o X16 1 Gb – 4 Gb Página de MS-1 SLC NAND
MS-2 SLC NAND 1.8 V VCC E/S X8 o X16 1 Gb – 16 Gb Página de MS-2 SLC NAND
ML-1 SLC NAND 3.3 V VCC E/S X8 1 Gb – 8 Gb Página de ML-1 SLC NAND
ML-2 SLC NAND 3.3 V VCC E/S X8 1 Gb – 16 Gb Página de ML-2 SLC NAND

SRAM sincrónicas

Imagen de CY56701

Cypress es líder en el mercado mundial de SRAM sincrónicas. Cypress ofrece una amplia cartera estándar incluyendo SRAM sincrónicas, SRAM sin latencia de bus y SRAMQDR® con una amplia variedad de velocidades, anchos de palabra, densidades y paquetes. Como fabricante de alto nivel, Cypress complementa sus productos con el mejor nivel de fabricación de su clase y el mejor servicio de atención al cliente.

Los sistemas de alto rendimiento, tales como los conmutadores y enrutadores a nivel empresarial, exigen un alto rendimiento de memoria de acceso aleatorio. La SRAM QDR® de Cypress está optimizada para lograr un alto rendimiento en acceso aleatorio para activar las redes de próxima generación y otros sistemas de alto rendimiento.

El Consorcio de QDR define las especificaciones SRAM para velocidad de datos cuádruple. Las empresas participantes desarrollan productos compatibles en patillaje y funciones para garantizar múltiples fuentes para los clientes. Como miembro fundador, Cypress lidera la definición de nuevos estándares en el Consorcio de QDR.

Tasa de transacción aleatoria (RTR)

La tasa de transacción aleatoria (RTR) es la cantidad de transacciones de lectura o de escritura completamente aleatoria que una memoria puede realizar cada segundo. Se mide en MT/s, o mega transacciones por segundo. La RTR es una medida fundamental en aplicaciones de alto rendimiento, tales como redes, donde el acceso a la memoria es impredecible.

Haga clic aquí para ver la guía de SRAM sincrónicas de Cypress.
Familia Velocidad (máx.) RTR (máx.) Rango de densidad  
QDR-IV 1066 MHz 2132 MT/s 72-144 Mb Página del producto QDR-IV
QDR-II+/DDR-II+ Xtreme 633 MHz 900 MT/s 36-72 Mb Página de QDR-II+/DDR-II+ Xtreme
QDR-II+/DDR-II+ 550 MHz 666 MT/s 18-144 Mb Página del producto QDR-II+/DDR-II+
QDR-II/DDR-II 333 MHz 666 MT/s 18-144 Mb Página del producto QDR-II/DDR-II
NoBL (Sin latencia de bus) 250 MHz 250 MT/s 4-72 Mb Página del producto NoBL
Sincrónicas estándar 250 MHz N/D 2-72 Mb Página del producto sincrónica estándar

SRAM asincrónica

Imagen de CY5674

Cypress es líder de mercado en espacio SRAM asincrónico, y ofrece la más amplia cartera de dispositivos SRAM rápidos y asincrónicos de baja potencia (MoBL®). Las SRAM asincrónicas se utilizan en una amplia variedad de aplicaciones industriales, médicas, comerciales, automotrices y militares que exigen los más altos estándares de fiabilidad y rendimiento. La tecnología de proceso y fabricación mejor en su clase, un sólido apoyo al cliente y un diseño de alta calidad garantizan que los dispositivos SRAM sincrónicos de Cypress cumplan y superen las expectativas. Cypress continúa invirtiendo en tecnología SRAM para crear productos nuevos e innovadores, aún cuando un gran número de fabricantes ya han abandonado este segmento del mercado.

La última generación ofrece SRAM asincrónicas con ECC. Los productos disponibles son los siguientes:

SRAM Fast & Micropower (MoBL®) con ECC

Fast and Micropower (MoBL®) con SRAM ECC son funciones compatibles con los dispositivos SRAM sincrónicos basados en los nodos de tecnología antiguos. Este te permite mejorar la fiabilidad del sistema sin invertir en el rediseño de la placa CI.

SRAM rápidos con PowerSnooze™

Una nueva SRAM rápida que combina los 10 ns de acceso de las SRAM rápidas con el bajo consumo en modo de espera que se compara con el consumo de la familia MoBL®. PowerSnooze es un modo de reposo profundo con un ahorro adicional de energía que alcanza 12 uA (típico) de corriente de reposo profundo para una SRAM de 16 Mb. La SRAM rápida de 16 Mb con PowerSnooze también ofrece ECC en el chip que mejora la fiabilidad del producto.

Haga clic aquí para obtener más información sobre las SRAM asincrónicas con ECC.
Haga clic aquí para acceder a la guía de SRAM asincrónica de Cypress.
Familia ECC disponible Tiempo de acceso Rango de densidad  
SRAM rápida 10 ns, 12 ns, 15 ns 64 Kb – 32 Mb Página de SRAM rápida
MoBL 45 ns, 55 ns 64 Kb – 64 Mb Página del producto MoBL

RAM no volátil

Imagen de RAM no volátil

Cypress Semiconductor es el líder mundial en productos de memoria RAM no volátil. Cypress tiene la más amplia cartera de RAM no volátiles del mercado, 25 años de experiencia, y ha entregado más de 1 mil millones de dispositivos hasta la fecha. La memoria RAM no volátil es una memoria que proporciona un rápido acceso de lectura y escritura en cualquier dirección y conserva los datos cuando se interrumpe.

Cypress tiene dos tipos de memoria RAM no volátil: nvSRAM (SRAM no volátil) y F-RAM (RAM ferroeléctrica). Estos productos tienen tres ventajas sobre las memorias no volátiles tradicionales: alta velocidad y resistencia, y bajo consumo de energía.

Además, Cypress ofrece productos complementarios al procesador, que son RAM no volátiles con funciones integradas tales como reloj en tiempo real y alerta temprana de error de alimentación.

La memoria RAM no volátil de Cypress ofrece un valor clave para muchas aplicaciones como medición, automatización industrial, dispositivos médicos portátiles y electrónica del automóvil.

Haga clic aquí para ver la guía de RAM no volátiles de Cypress.
Familia Interfaz Tiempo de acceso o velocidad de la interfaz Rango de densidad  
F-RAM SPI 40 MHz 4 Kb – 4 Mb Página del producto F-RAM SPI
I²C 1, 3.4 MHz 4 Kb – 1 Mb Página del producto I²C F-RAM
Paralelo 55, 60, 70 ns 64 Kb – 4 Mb Página del producto F-RAM paralelo
nvSRAM SPI/QSPI 40 MHz/108 MHz 64 Kb – 1 Mb Página del producto SPI nvSRAM
I²C 3.4 MHz 64 Kb – 1 Mb Página del producto I²C nvSRAM
Paralelo 25, 30, 35, 45, 55 ns 64 Kb – 16 Mb Página del producto nvSRAM paralelo

RAM Especial

Cypress ofrece productos FIFO de legado que proporcionan la solución ideal para la interconexión en áreas tales como el control de flujo, la adaptación y la velocidad de bus para diferentes mercados, incluyendo el video, datos y telecomunicaciones, y de redes de conmutación/enrutamiento.

Cypress ofrece también soluciones de memoria de legado de puertos múltiples, ofreciendo soluciones de interconexión con el máximo rendimiento en el sector. Cypress ofrece una amplia cartera de productos de más de 300 tipos de SRAM asincrónicas y sincrónicas de doble puerto, de cuatro puertos, y de doble puerto FullFlex.

Familia Rango de densidad  
FIFO 2 Kb – 72 Mb Página del producto FIFO
SRAM sincrónica de puerto dual 64 Kb – 36 Mb Página de SRAM sincrónica de puerto doble
SRAM asincrónica de puerto doble 8 Kb – 1 Mb Página de SRAM sincrónica de puerto doble