MOSFET de potencia de canal N AEC-Q en paquete L-TOGL™
El MOSFET de potencia de canal N AEC-Q de 40 V 400 A de Toshiba se ofrece en un paquete L-TOGL
Los MOSFET de potencia de canal N de 40 V XPQR3004PB y XPQ1R004PB de Toshiba consiguen una resistencia en estado encendido ultrabaja, un valor nominal de corriente de drenaje alto y una disipación de calor alta mediante la combinación de un paquete L-TOGL (terminales de ala de gaviota de contorno de transistor grande) de alta disipación de calor con el proceso de chip U-MOS IX-H.
El paquete L-TOGL es equivalente en tamaño al actual paquete TO-220SM(W); sin embargo, XPQR3004PB ha mejorado considerablemente la corriente nominal y ha reducido significativamente la resistencia en estado encendido a 0.23 mΩ típ. El espacio optimizado del paquete L-TOGL también ayuda a mejorar las características térmicas en comparación con el paquete TO-220SM(W) del mismo tamaño.
Con estas características combinadas, los productos de Toshiba ofrecen una alta capacidad de corriente y una elevada disipación de calor para ayudar a mejorar la densidad de potencia en una amplia variedad de aplicaciones automotrices.
- Calificada según AEC-Q101
- Baja resistencia en modo encendido con drenaje
- RDS(ON) del XPQR3004PB = 0.23 mΩ (típ.) (VGS = 10 V)
- RDS(ON) del XPQ1R004PB = 0.80 mΩ (típ.) (VGS = 10 V)
- Corriente de fuga baja: IDSS = 10 µA (máx.) (VDS = 40 V)
- Modo de mejora: Vth = 2.0 V a 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)
- Automotrices
- Reguladores de voltaje de conmutación
- Impulsores de motor
- Convertidores de CC/CC
AEC-Q N-Channel Power MOSFETs in L-TOGL™ Package
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | XPQ1R004PB,LXHQ | 40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM | 4471 - Inmediata | $3.63 | Ver detalles |
![]() | ![]() | XPQR3004PB,LXHQ | 40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHM | 2627 - Inmediata | $7.33 | Ver detalles |



