Índice de productos > Productos semiconductores discretos > Transistores - FET, MOSFET - Simple

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Empaquetado Serie Estado de la pieza Tipo FET Tecnología Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C Vgs(th) (máx.) en Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Vgs (máx.) Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Característica de FET Disipación de potencia (máx.) Temperatura de operación Tipo de montaje Paquete del dispositivo del proveedor Paquete / Caja (carcasa)
   
SSM3K17FU,LF Datasheet SSM3K17FU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17FULFTR-ND MOSFET N-CH 50V 0.1A USM 60,000 - Inmediata Disponible: 60,000 $0.05520 3,000 Mínimo: 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
π-MOSV Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 50V 100mA (Ta) 2.5V, 4V 20Ohm a 10mA, 4V 1.5V a 1µA
-
±7V 7pF @ 3V
-
150mW (Ta) 150°C (TJ) Montaje en superficie USM SC-70, SOT-323
SSM3K17FU,LF Datasheet SSM3K17FU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17FULFCT-ND MOSFET N-CH 50V 0.1A USM 61,641 - Inmediata Disponible: 61,641 $0.34000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
π-MOSV Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 50V 100mA (Ta) 2.5V, 4V 20Ohm a 10mA, 4V 1.5V a 1µA
-
±7V 7pF @ 3V
-
150mW (Ta) 150°C (TJ) Montaje en superficie USM SC-70, SOT-323
SSM3K17FU,LF Datasheet SSM3K17FU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17FULFDKR-ND MOSFET N-CH 50V 0.1A USM 61,641 - Inmediata Disponible: 61,641 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
π-MOSV Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 50V 100mA (Ta) 2.5V, 4V 20Ohm a 10mA, 4V 1.5V a 1µA
-
±7V 7pF @ 3V
-
150mW (Ta) 150°C (TJ) Montaje en superficie USM SC-70, SOT-323
SSM3K357R,LF Datasheet SSM3K357R,LF - Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K357RLFTR-ND X34 SMALL LOW ON RESISTANCE MOSF 3,000 - Inmediata Disponible: 3,000 $0.10725 3,000 Mínimo: 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
π-MOSV Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 60V 650mA (Ta) 3V, 5V 1.8Ohm a 150mA, 5V 2V a 1mA 1.5nC @ 5V ±12V 60pF @ 12V
-
1W (Ta) 150°C Montaje en superficie SOT-23F SOT-23-3 conductores planos
SSM3K357R,LF Datasheet SSM3K357R,LF - Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K357RLFCT-ND X34 SMALL LOW ON RESISTANCE MOSF 4,183 - Inmediata Disponible: 4,183 $0.44000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
π-MOSV Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 60V 650mA (Ta) 3V, 5V 1.8Ohm a 150mA, 5V 2V a 1mA 1.5nC @ 5V ±12V 60pF @ 12V
-
1W (Ta) 150°C Montaje en superficie SOT-23F SOT-23-3 conductores planos
SSM3K357R,LF Datasheet SSM3K357R,LF - Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K357RLFDKR-ND X34 SMALL LOW ON RESISTANCE MOSF 4,183 - Inmediata Disponible: 4,183 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
π-MOSV Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 60V 650mA (Ta) 3V, 5V 1.8Ohm a 150mA, 5V 2V a 1mA 1.5nC @ 5V ±12V 60pF @ 12V
-
1W (Ta) 150°C Montaje en superficie SOT-23F SOT-23-3 conductores planos
SSM3K2615R,LF Datasheet SSM3K2615R,LF - Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K2615RLFTR-ND MOSFET N-CH 60V 2A SOT23 0 Disponible: 0 $0.15500 3,000 Mínimo: 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
π-MOSV Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 60V 2 A (Ta) 3.3V, 10V 300mOhm a 1A, 10V 2V a 1mA
-
±20V 150pF @ 10V
-
1W (Ta) 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23F SOT-23-3 conductores planos
SSM3K2615R,LF Datasheet SSM3K2615R,LF - Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K2615RLFCT-ND MOSFET N-CH 60V 2A SOT23 1,342 - Inmediata Disponible: 1,342 $0.49000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
π-MOSV Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 60V 2 A (Ta) 3.3V, 10V 300mOhm a 1A, 10V 2V a 1mA
-
±20V 150pF @ 10V
-
1W (Ta) 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23F SOT-23-3 conductores planos
SSM3K2615R,LF Datasheet SSM3K2615R,LF - Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K2615RLFDKR-ND MOSFET N-CH 60V 2A SOT23 1,342 - Inmediata Disponible: 1,342 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
π-MOSV Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 60V 2 A (Ta) 3.3V, 10V 300mOhm a 1A, 10V 2V a 1mA
-
±20V 150pF @ 10V
-
1W (Ta) 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23F SOT-23-3 conductores planos
SSM3K2615TU,LF Datasheet SSM3K2615TU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K2615TULFTR-ND X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH 0 Disponible: 0 $0.14025 3,000 Mínimo: 3,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
π-MOSV Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 60V 2 A (Ta) 3.3V, 10V 300mOhm a 1A, 10V 2V a 1mA 6nC @ 10V ±20V 150pF @ 10V
-
800mW (Ta) 150°C Montaje en superficie UFM 3-SMD, conductores planos
SSM3K2615TU,LF Datasheet SSM3K2615TU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K2615TULFCT-ND X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH 2,352 - Inmediata Disponible: 2,352 $0.57000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
π-MOSV Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 60V 2 A (Ta) 3.3V, 10V 300mOhm a 1A, 10V 2V a 1mA 6nC @ 10V ±20V 150pF @ 10V
-
800mW (Ta) 150°C Montaje en superficie UFM 3-SMD, conductores planos
SSM3K2615TU,LF Datasheet SSM3K2615TU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K2615TULFDKR-ND X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH 2,352 - Inmediata Disponible: 2,352 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
π-MOSV Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 60V 2 A (Ta) 3.3V, 10V 300mOhm a 1A, 10V 2V a 1mA 6nC @ 10V ±20V 150pF @ 10V
-
800mW (Ta) 150°C Montaje en superficie UFM 3-SMD, conductores planos
TPCA8010-H(TE12L,Q Datasheet TPCA8010-H(TE12L,Q - Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010HTE12LQTR-ND MOSFET N-CH 200V 5.5A 8-SOPA 0 Disponible: 0
Obsoleto
-
Cinta y rollo (TR)? π-MOSV Obsoleto Canal N MOSFET (óxido de metal) 200V 5.5 A (Ta) 10V 450mOhm a 2.7A, 10V 4V a 1mA 10nC @ 10V ±20V 600pF @ 10V
-
1.6W (Ta), 45W (Tc) 150°C (TJ) Montaje en superficie 8-SOP avanzado (5x5) 8-PowerVDFN
TPCA8010-H(TE12L,Q Datasheet TPCA8010-H(TE12L,Q - Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010HTE12LQCT-ND MOSFET N-CH 200V 5.5A 8-SOPA 0 Disponible: 0
Obsoleto
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Cinta cortada (CT)? π-MOSV Obsoleto Canal N MOSFET (óxido de metal) 200V 5.5 A (Ta) 10V 450mOhm a 2.7A, 10V 4V a 1mA 10nC @ 10V ±20V 600pF @ 10V
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1.6W (Ta), 45W (Tc) 150°C (TJ) Montaje en superficie 8-SOP avanzado (5x5) 8-PowerVDFN
TPCA8010-H(TE12L,Q Datasheet TPCA8010-H(TE12L,Q - Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010HTE12LQDKR-ND MOSFET N-CH 200V 5.5A 8-SOPA 0 Disponible: 0 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
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Digi-Reel®? π-MOSV Obsoleto Canal N MOSFET (óxido de metal) 200V 5.5 A (Ta) 10V 450mOhm a 2.7A, 10V 4V a 1mA 10nC @ 10V ±20V 600pF @ 10V
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1.6W (Ta), 45W (Tc) 150°C (TJ) Montaje en superficie 8-SOP avanzado (5x5) 8-PowerVDFN
TPCA8010-H(TE12LQM Datasheet Photo Not Available TPCA8010-H(TE12LQM-ND MOSFET N-CH 200V 5.5A SOP-8 ADV 0 Disponible: 0
Obsoleto
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Cinta y rollo (TR)? π-MOSV Obsoleto Canal N MOSFET (óxido de metal) 200V 5.5 A (Ta) 10V 450mOhm a 2.7A, 10V 4V a 1mA 10nC @ 10V ±20V 600pF @ 10V
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1.6W (Ta), 45W (Tc) 150°C (TJ) Montaje en superficie 8-SOP avanzado (5x5) 8-PowerVDFN
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