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TP0610K-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 60V 185mA (Ta) 350mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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10 0.39200 $3.92
100 0.27140 $27.14
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TP0610K-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 73,703
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TP0610K-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 185mA (Ta) 350mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos TP0610K
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 185mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.7nC @ 15V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 23pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 350mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres TP0610K-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : TP0610K-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 69,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.12773
  • Digi-Reel® ? : TP0610K-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 73,703 - Inmediata
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04:34:42 4/22/2019