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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUP85N03-3M6P-GE3-ND
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Cantidad disponible 214
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SUP85N03-3M6P-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 30V 85 A (Tc) 3.1 W (Ta), 78.1 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos SUP85N03-3M6P
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018
Hoja de datos de HTML Packaging Information
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Última compra
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 85 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.6 mOhm a 22 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 100nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3535pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta), 78.1 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SUP85N03-3M6P-GE3CT
SUP85N03-3M6P-GE3CT-ND

08:58:06 10/23/2018