Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUP75P03-07-E3-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SUP75P03-07-E3

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Descripción MOSFET P-CH 30V 75A TO220AB
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Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 30V 75 A (Tc) 3.75 W (Ta), 187 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos SUB/SUP75P03-07
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Obsolescencia PCN/ EOL Multiple Devices 14/Mar/2018
Hoja de datos de HTML Packaging Information
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 75 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7 mOhm a 30 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 240nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.75 W (Ta), 187 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SUP75P0307E3

15:27:05 9/21/2018