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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUP70040E-GE3-ND
Cantidad disponible 509
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SUP70040E-GE3

Descripción MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 46 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 120 A (Tc) 375 W (Tc) TO-220AB

Documentos y medios
Hojas de datos SUP70040E
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Producto destacado Medium Voltage MOSFETS for Industrial Applications
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 120nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5100pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4 mOhm a 20 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500

02:32:41 2/24/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.39000 $3.39
10 3.02500 $30.25
100 2.48050 $248.05
500 2.00860 $1,004.30
1,000 1.69400 $1,694.00

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