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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUP70040E-GE3-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SUP70040E-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 120 A (Tc) 375 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos SUP70040E
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Producto destacado Medium Voltage MOSFETS for Industrial Applications
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 120nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5100pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
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06:58:16 10/23/2018