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SUM65N20-30-E3 Canal N Montaje en superficie 200V 65 A (Tc) 3.75 W (Ta), 375 W (Tc) TO-263 (D2Pak)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUM65N20-30-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SUM65N20-30-E3

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Descripción MOSFET N-CH 200V 65A D2PAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 65 A (Tc) 3.75 W (Ta), 375 W (Tc) TO-263 (D2Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos SUM65N20-30
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Add 9/Jun/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 65 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 30 mOhm a 30 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5100pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.75 W (Ta), 375 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SUM65N20-30-E3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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10:30:48 11/19/2018