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SUM65N20-30-E3 Canal N Montaje en superficie 200V 65 A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) TO-263 (D2Pak)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.84000 $3.84
10 3.45100 $34.51
25 3.26240 $81.56
100 2.61000 $261.00
250 2.46500 $616.25
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SUM65N20-30-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 800
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  • Precio unitario: $2.32000
  • Digi-Reel®  : SUM65N20-30-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 700 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SUM65N20-30-E3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SUM65N20-30-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SUM65N20-30-E3
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Descripción MOSFET N-CH 200V 65A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 65 A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) TO-263 (D2Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos SUM65N20-30
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Add 9/Jun/2016
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 65 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 30mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5100pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SUM65N20-30-E3CT