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SUM45N25-58-E3 Canal N Montaje en superficie 250V 45 A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) TO-263 (D2Pak)
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1 3.52000 $3.52
10 3.16500 $31.65
25 2.99240 $74.81
100 2.39400 $239.40
250 2.26100 $565.25

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SUM45N25-58-E3TR-ND
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  • Digi-Reel®  : SUM45N25-58-E3DKR-ND
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  • Cantidad disponible: 19,021 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SUM45N25-58-E3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SUM45N25-58-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SUM45N25-58-E3
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Descripción MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 250V 45 A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) TO-263 (D2Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos SUM45N25-58
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Add 9/Jun/2016
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 45 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 58mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 140nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SUM45N25-58-E3CT