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SUM110P08-11L-E3 Canal P Montaje en superficie 80V 110 A (Tc) 13.6W (Ta), 375W (Tc) TO-263 (D2Pak)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.43000 $4.43
10 3.97500 $39.75
25 3.75760 $93.94
100 3.00600 $300.60
250 2.83900 $709.75

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  • Digi-Reel®  : SUM110P08-11L-E3DKR-ND
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  • Cantidad disponible: 12,556 - Inmediata
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SUM110P08-11L-E3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SUM110P08-11L-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SUM110P08-11L-E3
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Descripción MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 80V 110 A (Tc) 13.6W (Ta), 375W (Tc) TO-263 (D2Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos SUM110P08-11L
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Add 9/Jun/2016
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 110 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11.2mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 270nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10850pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SUM110P08-11L-E3CT