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SUD50P10-43L-GE3 Canal P Montaje en superficie 100V 37.1 A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) TO-252
Precio y compra
4,422 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.53000 $2.53
10 2.27100 $22.71
25 2.14280 $53.57
100 1.67130 $167.13
250 1.62848 $407.12
500 1.41422 $707.11
1,000 1.19994 $1,199.94
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SUD50P10-43L-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,000
  • Cantidad disponible: 4,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.18280
  • Digi-Reel®  : SUD50P10-43L-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,422 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SUD50P10-43L-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SUD50P10-43L-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SUD50P10-43L-GE3
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Descripción MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 100V 37.1 A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) TO-252

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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 37.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 43mOhm a 9.2A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 160nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4600pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SUD50P10-43L-GE3CT