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SUD50P04-08-GE3 Canal P Montaje en superficie 40V 50 A (Tc) 2.5 W (Ta), 73.5 W (Tc) TO-252, (D-Pak)
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10 1.51700 $15.17
100 1.19920 $119.92
500 0.92996 $464.98
1,000 0.73418 $734.18
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUD50P04-08-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SUD50P04-08-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 40V 50 A (Tc) 2.5 W (Ta), 73.5 W (Tc) TO-252, (D-Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos SUD50P04-08
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Wafer Site 12/Sep/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.1 mOhm a 22 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 159nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5380pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 73.5 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SUD50P04-08-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SUD50P04-08-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,000
  • Cantidad disponible: 0
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
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01:34:25 12/11/2018