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SUD50N04-8M8P-4GE3 Canal N Montaje en superficie 40V 14 A (Ta), 50 A (Tc) 3.1 W (Ta), 48.1 W (Tc) TO-252, (D-Pak)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUD50N04-8M8P-4GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SUD50N04-8M8P-4GE3

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Descripción MOSFET N-CH 40V 14A TO-252
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 14 A (Ta), 50 A (Tc) 3.1 W (Ta), 48.1 W (Tc) TO-252, (D-Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos SUD50N04-8M8P
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Wafer Site 12/Sep/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 14 A (Ta), 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.8 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 56nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2400pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta), 48.1 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SUD50N04-8M8P-4GE3CT
SUD50N04-8M8P-GE3CT
SUD50N04-8M8P-GE3CT-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 10,000 - Inmediata
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08:17:49 11/20/2018