SUD45P03-09-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 45 A (Tc) 2.1 W (Ta), 41.7 W (Tc) TO-252, (D-Pak)
Información general del producto
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Número de pieza del fabricante

SUD45P03-09-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 30V 45A DPAK
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 45 A (Tc) 2.1 W (Ta), 41.7 W (Tc) TO-252, (D-Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos SUD45P03-09
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Obsolescencia PCN/ EOL Multiple Devices 14/Mar/2018
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 45 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.7 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 90nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2700pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1 W (Ta), 41.7 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SUD45P03-09-GE3CT

19:15:23 12/14/2018