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1 2.97000 $2.97
10 2.66600 $26.66
25 2.52000 $63.00
100 2.01600 $201.60
250 1.90400 $476.00
500 1.79200 $896.00
1,000 1.53440 $1,534.40

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  • Cinta y rollo (TR)  : SUD40N10-25-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,000
  • Cantidad disponible: 3,554 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.51200
  • Digi-Reel®  : SUD40N10-25-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 3,554 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SUD40N10-25-E3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SUD40N10-25-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SUD40N10-25-E3
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Descripción MOSFET N-CH 100V 40A TO252
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 40 A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) TO-252, (D-Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos SUD40N10-25
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Add 9/Jun/2016
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 25mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 60nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SUD40N10-25-E3CT