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SUD40N08-16-E3 Canal N Montaje en superficie 80V 40 A (Tc) 3 W (Ta), 136 W (Tc) TO-252, (D-Pak)
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100 2.30270 $230.27
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUD40N08-16-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SUD40N08-16-E3

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Descripción MOSFET N-CH 80V 40A TO252
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 40 A (Tc) 3 W (Ta), 136 W (Tc) TO-252, (D-Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos SUD40N08-16
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Add 9/Jun/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 16 mOhm a 40 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 60nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1960pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3 W (Ta), 136 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Otros nombres SUD40N08-16-E3CT
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15:51:43 11/20/2018