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SUD15N15-95-E3 Canal N Montaje en superficie 150V 15 A (Tc) 2.7 W (Ta), 62 W (Tc) TO-252, (D-Pak)
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1 1.96000 $1.96
10 1.77300 $17.73
100 1.42480 $142.48
500 1.10816 $554.08
1,000 0.91819 $918.19

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUD15N15-95-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SUD15N15-95-E3

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Descripción MOSFET N-CH 150V 15A TO252
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 15 A (Tc) 2.7 W (Ta), 62 W (Tc) TO-252, (D-Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos SUD15N15-95
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Add 9/Jun/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 95 mOhm a 15 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 900pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.7 W (Ta), 62 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SUD15N15-95-E3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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16:04:44 11/20/2018