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SUD09P10-195-GE3 Canal P Montaje en superficie 100V 8.8 A (Tc) 2.5 W (Ta), 32.1 W (Tc) TO-252, (D-Pak)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SUD09P10-195-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SUD09P10-195-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 100V 8.8 A (Tc) 2.5 W (Ta), 32.1 W (Tc) TO-252, (D-Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos SUD09P10-195
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 195 mOhm a 3.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 34.8nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1055pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 32.1 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SUD09P10-195-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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