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SUD09P10-195-GE3 Canal P Montaje en superficie 100V 8.8 A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) TO-252, (D-Pak)
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1 0.83000 $0.83
10 0.73800 $7.38
25 0.70000 $17.50
100 0.52500 $52.50
500 0.44500 $222.50
1,000 0.36250 $362.50
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  • Cinta y rollo (TR)  : SUD09P10-195-GE3TR-ND
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  • Cantidad disponible: 50,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.35750
  • Digi-Reel®  : SUD09P10-195-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 54,676 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SUD09P10-195-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SUD09P10-195-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SUD09P10-195-GE3
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Descripción MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 100V 8.8 A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) TO-252, (D-Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos SUD09P10-195
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 195mOhm a 3.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 34.8nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1055pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
Número de pieza base SUD09
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SUD09P10-195-GE3CT