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SQS401EN-T1_GE3 Canal P Montaje en superficie 40V 16 A (Tc) 62.5W (Tc) PowerPAK® 1212-8
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10 0.88900 $8.89
100 0.70820 $70.82
500 0.55490 $277.45
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SQS401EN-T1_GE3CT-ND
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Cantidad disponible 176,664
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SQS401EN-T1_GE3

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Descripción MOSFET P-CH 40V 16A
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 40V 16 A (Tc) 62.5W (Tc) PowerPAK® 1212-8

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Documentos y medios
Hojas de datos SQS401EN
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-040-2014-Rev-3 22/Sep/2014
Número de pieza de PCN New Ordering Code 19/Mar/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 16 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 29mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 21.2nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1875pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 62.5W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SQS401EN-T1_GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 174,000 - Inmediata
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  • Cantidad disponible: 176,664 - Inmediata
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18:07:17 4/18/2019