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SQP90142E_GE3 Canal N Orificio pasante 200V 78.5 A (Tc) 250 W (Tc) TO-220AB
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Cantidad
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1 3.25000 $3.25
10 2.93800 $29.38
100 2.36120 $236.12
500 1.83646 $918.23
1,000 1.52163 $1,521.63

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SQP90142E_GE3-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SQP90142E_GE3

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Descripción MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 78.5 A (Tc) 250 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos SQP90142E
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 78.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 15.3 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 85nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4200pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SQP90142E_GE3CT
SQP90142E_GE3CT-ND

03:03:53 10/18/2018