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SQM120P06-07L_GE3 Canal P Montaje en superficie 60V 120 A (Tc) 375W (Tc) TO-263 (D2Pak)
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1 2.86000 $2.86
10 2.57000 $25.70
25 2.43000 $60.75
100 1.94400 $194.40
250 1.83600 $459.00

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SQM120P06-07L_GE3

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SQM120P06-07L_GE3
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Descripción MOSFET P-CH 60V 120A TO263
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 120 A (Tc) 375W (Tc) TO-263 (D2Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos SQM120P06-07L-GE3
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Número de pieza de PCN New Ordering Code 19/Mar/2015
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.7mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 270nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 14280pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SQM120P06-07L_GE3CT