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10 2.57000 $25.70
25 2.43000 $60.75
100 1.94400 $194.40
250 1.83600 $459.00

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  • Cinta y rollo (TR)  : SQM120P04-04L_GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 800
  • Cantidad disponible: 2,400 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.72800
  • Digi-Reel®  : SQM120P04-04L_GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,400 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SQM120P04-04L_GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SQM120P04-04L_GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SQM120P04-04L_GE3
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Descripción MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 40V 120 A (Tc) 375W (Tc) TO-263 (D2Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos SQM120P04-04L-GE3
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-046-2014-Rev-2 20/May/2014
Número de pieza de PCN New Ordering Code 19/Mar/2015
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 330nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 13980pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SQM120P04-04L_GE3CT