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SQM120N10-3M8_GE3 Canal N Montaje en superficie 100V 120 A (Tc) 375 W (Tc) TO-263 (D²Pak)
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SQM120N10-3M8_GE3CT-ND
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Cantidad disponible 1,299
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SQM120N10-3M8_GE3

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Descripción MOSFET N-CH 100V 120A TO263
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 120 A (Tc) 375 W (Tc) TO-263 (D²Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos SQM120N10-3M8
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.8 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 190nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7230pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D²Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SQM120N10-3M8_GE3-ND
SQM120N10-3M8_GE3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.78000 $3.78
10 3.37600 $33.76
100 2.76820 $276.82

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00:25:47 9/19/2018