Agregar a favoritos
SQM120N04-1M7L_GE3 Canal N Montaje en superficie 40V 120 A (Tc) 375 W (Tc) TO-263
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SQM120N04-1M7L_GE3CT-ND
Copiar   SQM120N04-1M7L_GE3CT-ND
Cantidad disponible 1,596
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

SQM120N04-1M7L_GE3

Copiar   SQM120N04-1M7L_GE3
Descripción MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Copiar   MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 120 A (Tc) 375 W (Tc) TO-263

Copiar   Canal N Montaje en superficie 40V 120 A (Tc) 375 W (Tc) TO-263
Documentos y medios
Hojas de datos SQM120N04-1M7L
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-013-2014-Rev-1 17/Mar/2014
Número de pieza de PCN New Ordering Code 19/Mar/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.7 mOhm a 30 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 285nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 14606pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • TK90S06N1L,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage | TK90S06N1LLQCT-ND DigiKey Electronics
  • TK90S06N1L,LQ
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
  • Precio unitario $2.39000
  • TK90S06N1LLQCT-ND
  • A3941KLPTR-T - Allegro MicroSystems, LLC | 620-1236-1-ND DigiKey Electronics
  • A3941KLPTR-T
  • Allegro MicroSystems, LLC
  • IC MOSFET FULL BRDG AUTO 28TSSOP
  • Precio unitario $4.21000
  • 620-1236-1-ND
  • STCS2ASPR - STMicroelectronics | 497-6917-1-ND DigiKey Electronics
  • STCS2ASPR
  • STMicroelectronics
  • IC LED DRVR LIN DIM 2A 10POWERSO
  • Precio unitario $2.55000
  • 497-6917-1-ND
  • ATMEGA328P-ANR - Microchip Technology | ATMEGA328P-ANRCT-ND DigiKey Electronics
  • ATMEGA328P-ANR
  • Microchip Technology
  • IC MCU 8BIT 32KB FLASH 32TQFP
  • Precio unitario $2.25000
  • ATMEGA328P-ANRCT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SQM120N04-1M7L-GE3-ND
SQM120N04-1M7L-GE3CT-ND
SQM120N04-1M7L_GE3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.38000 $3.38
10 3.02000 $30.20
100 2.47680 $247.68

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SQM120N04-1M7L_GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 800
  • Cantidad disponible: 800 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.75950

06:40:49 9/26/2018