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SQM10250E_GE3 Canal N Montaje en superficie 250V 65 A (Tc) 375 W (Tc) TO-263 (D²Pak)
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Cantidad
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100 2.43200 $243.20

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SQM10250E_GE3CT-ND
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Cantidad disponible 564
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SQM10250E_GE3

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Descripción MOSFET N-CHAN 250V TO-263
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Plazo estándar del fabricante 47 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 250V 65 A (Tc) 375 W (Tc) TO-263 (D²Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos SQM10250E
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 65 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 30 mOhm a 15 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 75nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4050pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D²Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SQM10250E_GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SQM10250E_GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 800
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $1.65805
  • Digi-Reel® ? : SQM10250E_GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 564 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

12:27:42 10/20/2018