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SQJQ900E-T1_GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 40 V 100 A (Tc) 75 W Montaje en superficie PowerPAK® 8 x 8 Dual
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SQJQ900E-T1_GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SQJQ900E-T1_GE3

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Descripción MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 40 V 100 A (Tc) 75 W Montaje en superficie PowerPAK® 8 x 8 Dual

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Documentos y medios
Hojas de datos SQJQ900E Datasheet
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Estándar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.9 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 120 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5900 pF a 20 V
Potencia máxima 75 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 8 x 8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 8 x 8 Dual
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SQJQ900E-T1_GE3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.62000 $2.62
10 2.36800 $23.68
100 1.90290 $190.29
500 1.48004 $740.02
1,000 1.22631 $1,226.31

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SQJQ900E-T1_GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,000
  • Cantidad disponible: 4,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,975 - Inmediata
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10:52:23 9/19/2018