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SQJA82EP-T1_GE3 Canal N Montaje en superficie 80V 60 A (Tc) 68 W (Tc) PowerPAK® SO-8
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SQJA82EP-T1_GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SQJA82EP-T1_GE3

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Descripción MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 60 A (Tc) 68 W (Tc) PowerPAK® SO-8

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Documentos y medios
Hojas de datos SQJA82EP
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.2 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 60nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 68 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SQJA82EP-T1_GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SQJA82EP-T1_GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 12,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.53392
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 13,067 - Inmediata
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12:45:16 12/13/2018