Agregar a favoritos
SQJ963EP-T1_GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 60V 8 A (Tc) 27W (Tc) Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.17000 $2.17
10 1.96500 $19.65
100 1.59140 $159.14
500 1.25146 $625.73
1,000 1.04751 $1,047.51
Tarifa arancelaria aplicada ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SQJ963EP-T1_GE3CT-ND
Copiar   SQJ963EP-T1_GE3CT-ND
Cantidad disponible 26,335
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

SQJ963EP-T1_GE3

Copiar   SQJ963EP-T1_GE3
Descripción MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8
Copiar   MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 60V 8 A (Tc) 27W (Tc) Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual

Copiar   Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 60V 8 A (Tc) 27W (Tc) Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
Documentos y medios
Hojas de datos SQJ963EP
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal P (doble)
Característica de FET Estándar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 85 mOhm a 3.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1140pF a 30V
Potencia máxima 27W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • SQJ951EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix | SQJ951EP-T1_GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SQJ951EP-T1_GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
  • Precio unitario $1.73000
  • SQJ951EP-T1_GE3CT-ND
  • SI7997DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SI7997DP-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI7997DP-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
  • Precio unitario $2.56000
  • SI7997DP-T1-GE3CT-ND
  • SI7949DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SI7949DP-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI7949DP-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
  • Precio unitario $1.91000
  • SI7949DP-T1-GE3CT-ND
  • TSM680P06DPQ56 RLG - Taiwan Semiconductor Corporation | TSM680P06DPQ56RLGCT-ND DigiKey Electronics
  • TSM680P06DPQ56 RLG
  • Taiwan Semiconductor Corporation
  • MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
  • Precio unitario $0.82000
  • TSM680P06DPQ56RLGCT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SQJ963EP-T1_GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SQJ963EP-T1_GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 24,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.95100

08:51:51 3/18/2019