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100 1.29550 $129.55
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SQJ422EP-T1_GE3CT-ND
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Cantidad disponible 6,435
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SQJ422EP-T1_GE3

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Descripción MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 74 A (Tc) 83W (Tc)

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Documentos y medios
Hojas de datos SQJ422EP-T1-GE3
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-082-2014-Rev-1 22/Sep/2014
Número de pieza de PCN New Ordering Code 19/Mar/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 74 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.4mOhm a 18A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 100nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4660pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 83W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SQJ422EP-T1_GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SQJ422EP-T1_GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
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  • Digi-Reel® ? : SQJ422EP-T1_GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 6,435 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

23:04:09 4/22/2019