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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SQD19P06-60L_GE3CT-ND
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Cantidad disponible 9,289
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SQD19P06-60L_GE3

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Descripción MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Copiar   MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 20 A (Tc) 46 W (Tc)

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Documentos y medios
Hojas de datos SQD19P06-60L
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-040-2014-Rev-3 22/Sep/2014
Número de pieza de PCN New Ordering Code 19/Mar/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 55 mOhm a 19A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 41nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1490pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 46 W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SQD19P06-60L_GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 2,000
  • Cantidad disponible: 8,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 9,289 - Inmediata
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09:53:30 3/26/2019