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SQD19P06-60L_GE3 Canal P Montaje en superficie 60V 20 A (Tc) 46 W (Tc)
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SQD19P06-60L_GE3CT-ND
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Cantidad disponible 1,926
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SQD19P06-60L_GE3

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Descripción MOSFET P-CH 60V 20A TO252
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 20 A (Tc) 46 W (Tc)

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Documentos y medios
Hojas de datos SQD19P06-60L
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-040-2014-Rev-3 22/Sep/2014
Número de pieza de PCN New Ordering Code 19/Mar/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 55 mOhm a 19 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 41nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1490pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 46 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SQD19P06-60L_GE3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.74000 $1.74
10 1.54200 $15.42
100 1.21890 $121.89
500 0.94524 $472.62
1,000 0.74624 $746.24

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SQD19P06-60L_GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,000
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