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SQ3426EV-T1_GE3 Canal N Montaje en superficie 60V 7 A (Tc) 5W (Tc) 6-TSOP
Precio y compra
953 En Stock
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Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.63000 $0.63
10 0.55100 $5.51
25 0.51720 $12.93
100 0.37540 $37.54
250 0.36208 $90.52
500 0.31370 $156.85
1,000 0.26698 $266.98
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SQ3426EV-T1_GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.24300
  • Digi-Reel®  : SQ3426EV-T1_GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 953 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SQ3426EV-T1_GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SQ3426EV-T1_GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SQ3426EV-T1_GE3
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Descripción MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 7 A (Tc) 5W (Tc) 6-TSOP

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Documentos y medios
Hojas de datos SQ3426EV
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 42mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 720pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 5W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SQ3426EV-T1_GE3CT