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SQ2362ES-T1_GE3 Canal N Montaje en superficie 60V 4.3 A (Tc) 3 W (Tc)
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1 0.73000 $0.73
10 0.61800 $6.18
100 0.46680 $46.68
500 0.34600 $173.00
1,000 0.27048 $270.48
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SQ2362ES-T1_GE3CT-ND
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Cantidad disponible 59,509
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SQ2362ES-T1_GE3

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Descripción MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 4.3 A (Tc) 3 W (Tc)

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Documentos y medios
Hojas de datos SQ2362ES
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 95 mOhm a 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 550pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SQ2362ES-T1_GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SQ2362ES-T1_GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 57,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.24061
  • Digi-Reel® ? : SQ2362ES-T1_GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 59,509 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

05:31:12 3/25/2019