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SQ2361ES-T1_GE3 Canal P Montaje en superficie 60V 2.8 A (Tc) 2W (Tc)
Precio y compra
65,346 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.58000 $0.58
10 0.49500 $4.95
25 0.46200 $11.55
100 0.34320 $34.32
500 0.26796 $133.98
1,000 0.21780 $217.80
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SQ2361ES-T1_GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 63,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.20460
  • Digi-Reel®  : SQ2361ES-T1_GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 65,346 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SQ2361ES-T1_GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SQ2361ES-T1_GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SQ2361ES-T1_GE3
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Descripción MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 2.8 A (Tc) 2W (Tc)

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Documentos y medios
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Hoja de datos de HTML SQ2361ES
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 177mOhm a 2.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 550pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de pieza base SQ2361
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SQ2361ES-T1_GE3CT