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SQ2361AEES-T1_GE3 Canal P Montaje en superficie 60V 2.8 A (Tc) 2 W (Tc)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SQ2361AEES-T1_GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SQ2361AEES-T1_GE3

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Descripción MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 2.8 A (Tc) 2 W (Tc)

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Documentos y medios
Hojas de datos SQ2361AEES
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 170 mOhm a 2.4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 620pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SQ2361AEES-T1_GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 3,000
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03:17:13 12/16/2018