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SQ2361AEES-T1_GE3 Canal P Montaje en superficie 60V 2.8 A (Tc) 2W (Tc)
Precio y compra
397 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.60000 $0.60
10 0.51000 $5.10
25 0.47600 $11.90
100 0.35350 $35.35
250 0.33584 $83.96
500 0.27600 $138.00
1,000 0.22433 $224.33
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SQ2361AEES-T1_GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.20460
  • Digi-Reel®  : SQ2361AEES-T1_GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 497 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SQ2361AEES-T1_GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SQ2361AEES-T1_GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SQ2361AEES-T1_GE3
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Descripción MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 2.8 A (Tc) 2W (Tc)

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Documentos y medios
Hojas de datos SQ2361AEES
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 170mOhm a 2.4A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 620pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SQ2361AEES-T1_GE3CT