Agregar a favoritos
SQ2315ES-T1_GE3 Canal P Montaje en superficie 12V 5 A (Tc) 2 W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.65000 $0.65
10 0.54400 $5.44
100 0.40790 $40.79
500 0.29912 $149.56
1,000 0.23113 $231.13
Tarifa aduanera elegible ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SQ2315ES-T1_GE3CT-ND
Copiar   SQ2315ES-T1_GE3CT-ND
Cantidad disponible 37,843
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

SQ2315ES-T1_GE3

Copiar   SQ2315ES-T1_GE3
Descripción MOSFET P-CHAN 12V SOT23
Copiar   MOSFET P-CHAN 12V SOT23
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 12V 5 A (Tc) 2 W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)

Copiar   Canal P Montaje en superficie 12V 5 A (Tc) 2 W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
Documentos y medios
Hojas de datos SQ2315ES
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 50 mOhm a 3.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 870pF @ 4V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • SI2333DS-T1-E3 - Vishay Siliconix | SI2333DS-T1-E3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI2333DS-T1-E3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
  • Precio unitario $0.78000
  • SI2333DS-T1-E3CT-ND
  • SI2333CDS-T1-E3 - Vishay Siliconix | SI2333CDS-T1-E3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI2333CDS-T1-E3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
  • Precio unitario $0.57000
  • SI2333CDS-T1-E3CT-ND
  • SQ2351ES-T1_GE3 - Vishay Siliconix | SQ2351ES-T1_GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SQ2351ES-T1_GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CHAN 20V SOT23
  • Precio unitario $0.65000
  • SQ2351ES-T1_GE3CT-ND
  • IRLML6401TRPBF - Infineon Technologies | IRLML6401PBFCT-ND DigiKey Electronics
  • IRLML6401TRPBF
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
  • Precio unitario $0.55000
  • IRLML6401PBFCT-ND
  • SSM3J328R,LF - Toshiba Semiconductor and Storage | SSM3J328RLFCT-ND DigiKey Electronics
  • SSM3J328R,LF
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
  • Precio unitario $0.52000
  • SSM3J328RLFCT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SQ2315ES-T1_GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SQ2315ES-T1_GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 36,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.20460
  • Digi-Reel® ? : SQ2315ES-T1_GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 37,843 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

12:20:40 12/16/2018