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SQ2310ES-T1_GE3 Canal N Montaje en superficie 20V 6 A (Tc) 2 W (Tc) TO-236
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SQ2310ES-T1_GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SQ2310ES-T1_GE3

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Descripción MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 6 A (Tc) 2 W (Tc) TO-236

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Documentos y medios
Hojas de datos SQ2310ES
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-058-2014-Rev-2 15/Sep/2014
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 30 mOhm a 5 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 485pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-236
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SQ2310ES-T1-GE3CT
SQ2310ES-T1-GE3CT-ND
SQ2310ES-T1_GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SQ2310ES-T1_GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
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  • Cantidad disponible: 72,157 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

01:41:51 11/19/2018