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SQ2303ES-T1_GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 2.5 A (Tc) 1.9 W (Tc) TO-236 (SOT-23)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SQ2303ES-T1_GE3CT-ND
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Cantidad disponible 47,391
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SQ2303ES-T1_GE3

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Descripción MOSFET P-CHAN 30V SOT23
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 2.5 A (Tc) 1.9 W (Tc) TO-236 (SOT-23)

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Documentos y medios
Hojas de datos SQ2303ES
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 170 mOhm a 1.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.8nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 210pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.9 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-236 (SOT-23)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SQ2303ES-T1_GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SQ2303ES-T1_GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 45,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.18192
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 47,391 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

03:10:54 12/15/2018