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SIZ918DT-T1-GE3 MOSFET - Arreglos 2 canales N (medio puente) 30V 16 A, 28 A 29W, 100W Montaje en superficie 8-PowerPair® (6x5)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.19000 $1.19
10 1.06200 $10.62
25 1.00800 $25.20
100 0.75600 $75.60
500 0.64080 $320.40
1,000 0.52200 $522.00
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SIZ918DT-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 12,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.51480
  • Digi-Reel®  : SIZ918DT-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 13,707 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SIZ918DT-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SIZ918DT-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SIZ918DT-T1-GE3
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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos 2 canales N (medio puente) 30V 16 A, 28 A 29W, 100W Montaje en superficie 8-PowerPair® (6x5)

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Documentos y medios
Hojas de datos SIZ918DT
Producto destacado PowerPAIR®
Hoja de datos de HTML SIZ918DT
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET 2 canales N (medio puente)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 16 A, 28 A
Rds On (máx) @ Id, Vgs 12mOhm a 13.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 21nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 790pF a 15V
Potencia - Máx. 29W, 100W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor 8-PowerPair® (6x5)
Número de pieza base SIZ918
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SIZ918DT-T1-GE3CT