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SIUD402ED-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 20V 1 A (Ta) 1.25 W (Ta) PowerPAK® 0806
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIUD402ED-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 1 A (Ta) 1.25 W (Ta) PowerPAK® 0806

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 730 mOhm a 200mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 900mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.2nC @ 8V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 16pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.25 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 0806
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 0806
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806
  • Precio unitario $0.44000
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000

06:24:32 3/20/2019