Agregar a favoritos
SISS27DN-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 50 A (Tc) 4.8 W (Ta), 57 W (Tc) PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.99000 $0.99
10 0.86800 $8.68
100 0.67450 $67.45
500 0.50532 $252.66
1,000 0.40864 $408.64
Tarifa arancelaria aplicada ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SISS27DN-T1-GE3CT-ND
Copiar   SISS27DN-T1-GE3CT-ND
Cantidad disponible 2,415
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

SISS27DN-T1-GE3

Copiar   SISS27DN-T1-GE3
Descripción MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Copiar   MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Plazo estándar del fabricante 31 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 50 A (Tc) 4.8 W (Ta), 57 W (Tc) PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Copiar   Canal P Montaje en superficie 30V 50 A (Tc) 4.8 W (Ta), 57 W (Tc) PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.6 mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 140nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5250pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 4.8 W (Ta), 57 W (Tc)
Temperatura de operación -50 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • SI7111EDN-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SI7111EDN-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI7111EDN-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212
  • Precio unitario $0.75000
  • SI7111EDN-T1-GE3CT-ND
  • SISS23DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SISS23DN-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SISS23DN-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
  • Precio unitario $1.01000
  • SISS23DN-T1-GE3CT-ND
  • SISS27ADN-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SISS27ADN-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SISS27ADN-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212
  • Precio unitario $1.10000
  • SISS27ADN-T1-GE3CT-ND
  • SISA72DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SISA72DN-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SISA72DN-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212
  • Precio unitario $0.60000
  • SISA72DN-T1-GE3CT-ND
  • VNQ5027AKTR-E - STMicroelectronics | 497-11715-1-ND DigiKey Electronics
  • VNQ5027AKTR-E
  • STMicroelectronics
  • IC SSR HISIDE QUAD POWERSO24
  • Precio unitario $6.39000
  • 497-11715-1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SISS27DN-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SISS27DN-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.36154
  • Digi-Reel® ? : SISS27DN-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,415 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

06:43:17 3/24/2019