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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SISS27DN-T1-GE3CT-ND
Cantidad disponible 18,385
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SISS27DN-T1-GE3

Descripción MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 50 A (Tc) 4.8 W (Ta), 57 W (Tc) PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.6 mOhm a 15 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 140nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5250pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 4.8 W (Ta), 57 W (Tc)
Temperatura de operación -50 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SISS27DN-T1-GE3CT

08:01:26 7/22/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.01000 $1.01
10 0.88400 $8.84
100 0.68220 $68.22
500 0.50532 $252.66
1,000 0.40425 $404.25

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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