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SISS26DN-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 60V 60 A (Tc) 57W (Tc) PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
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100 1.28900 $128.90
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SISS26DN-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 15,288
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SISS26DN-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S
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Plazo estándar del fabricante 31 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 60 A (Tc) 57W (Tc) PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos SISS26DN
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET® Gen IV
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.5mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.6V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 37nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1710pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 57W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8S
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SISS26DN-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SISS26DN-T1-GE3TR-ND
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  • Cantidad disponible: 15,288 - Inmediata
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11:00:07 4/26/2019