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SISA72DN-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 40V 60 A (Tc) 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8
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10 0.50700 $5.07
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SISA72DN-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SISA72DN-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 60 A (Tc) 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8

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Documentos y medios
Hojas de datos SISA72DN
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET® Gen IV
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.5mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30nC @ 4.5V
Vgs (máx.) +20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3240pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 52W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SISA72DN-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 3,000
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23:50:04 5/21/2019