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SIS990DN-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 100 V 12.1 A 25 W Montaje en superficie PowerPAK® 1212-8 Dual
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.05000 $1.05
10 0.93400 $9.34
100 0.73840 $73.84
500 0.57262 $286.31
1,000 0.45207 $452.07
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIS990DN-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 5,038
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIS990DN-T1-GE3

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Descripción MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 100 V 12.1 A 25 W Montaje en superficie PowerPAK® 1212-8 Dual

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Documentos y medios
Hojas de datos SIS990DN
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Estándar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12.1 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 85 mOhm a 8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 250 pF a 50 V
Potencia máxima 25 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8 Dual
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIS990DN-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SIS990DN-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.40964
  • Digi-Reel® ? : SIS990DN-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,038 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

03:13:49 10/16/2018