SIS892DN-T1-GE3 Vishay Siliconix | Productos semiconductores discretos

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SIS892DN-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 100V 30 A (Tc) 3.7 W (Ta), 52 W (Tc) PowerPAK® 1212-8

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	SIS892DN-T1-GE3CT-ND	Copiar
Cantidad disponible	14,673 Disponible para envío inmediato
Fabricante	Vishay Siliconix	Copiar
Número de pieza del fabricante	SIS892DN-T1-GE3	Copiar
Descripción	MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK	Copiar
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100V 30 A (Tc) 3.7 W (Ta), 52 W (Tc) PowerPAK® 1212-8	Copiar

Documentos y medios

Hojas de datos	SIS892DN
Archivo de video	MOSFET Technologies for Power Conversion
Producto destacado	ThunderFETs
Ensamble/origen de PCN	Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	29 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id	3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	21.5nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	611pF @ 50V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	3.7 W (Ta), 52 W (Tc)
Temperatura de operación	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® 1212-8