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SIS443DN-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 40V 35 A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIS443DN-T1-GE3DKR-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIS443DN-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
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Plazo estándar del fabricante 31 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 40V 35 A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8

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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Digi-Reel® ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 35 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11.7mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 135nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4370pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIS443DN-T1-GE3DKR
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SIS443DN-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 63,000 - Inmediata
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  • Cinta cortada (CT) ? : SIS443DN-T1-GE3CT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 64,389 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.82000

03:03:17 5/26/2019