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SIS427EDN-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 50 A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8
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10 0.73300 $7.33
100 0.56910 $56.91
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIS427EDN-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SIS427EDN-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 50 A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8

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Documentos y medios
Hojas de datos SIS427EDN
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10.6mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 66nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1930pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIS427EDN-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SIS427EDN-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 6,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.30510
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 8,343 - Inmediata
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03:15:40 4/26/2019