Agregar a favoritos
SIS413DN-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 18 A (Tc) 3.7 W (Ta), 52 W (Tc) PowerPAK® 1212-8
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.68000 $0.68
10 0.59500 $5.95
100 0.45890 $45.89
500 0.33990 $169.95
1,000 0.27192 $271.92
Tarifa aduanera elegible ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIS413DN-T1-GE3CT-ND
Copiar   SIS413DN-T1-GE3CT-ND
Cantidad disponible 59,883
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

SIS413DN-T1-GE3

Copiar   SIS413DN-T1-GE3
Descripción MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Copiar   MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 18 A (Tc) 3.7 W (Ta), 52 W (Tc) PowerPAK® 1212-8

Copiar   Canal P Montaje en superficie 30V 18 A (Tc) 3.7 W (Ta), 52 W (Tc) PowerPAK® 1212-8
Documentos y medios
Hojas de datos SIS413DN
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.4 mOhm a 15 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4280pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.7 W (Ta), 52 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • TPS55340RTER - Texas Instruments | 296-37677-1-ND DigiKey Electronics
  • TPS55340RTER
  • Texas Instruments
  • IC REG MULT CONFG ISO ADJ 16WQFN
  • Precio unitario $3.36000
  • 296-37677-1-ND
  • TPS71533DCKR - Texas Instruments | 296-12008-1-ND DigiKey Electronics
  • TPS71533DCKR
  • Texas Instruments
  • IC REG LINEAR 3.3V 50MA SC70-5
  • Precio unitario $0.90000
  • 296-12008-1-ND
  • SIS412DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SIS412DN-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SIS412DN-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
  • Precio unitario $0.68000
  • SIS412DN-T1-GE3CT-ND
  • LTC4412HVIS6#TRMPBF - Linear Technology/Analog Devices | LTC4412HVIS6#TRMPBFCT-ND DigiKey Electronics
  • LTC4412HVIS6#TRMPBF
  • Linear Technology/Analog Devices
  • IC OR CTRLR SRC SELECT TSOT23-6
  • Precio unitario $4.10000
  • LTC4412HVIS6#TRMPBFCT-ND
  • LT6703HDC-2#TRMPBF - Linear Technology/Analog Devices | LT6703HDC-2#TRMPBFCT-ND DigiKey Electronics
  • LT6703HDC-2#TRMPBF
  • Linear Technology/Analog Devices
  • IC COMPARATOR 400MV REF 3-DFN
  • Precio unitario $2.21000
  • LT6703HDC-2#TRMPBFCT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIS413DN-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SIS413DN-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 57,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.23925
  • Digi-Reel® ? : SIS413DN-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 59,883 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

02:32:45 12/12/2018