• No se dispone de envases con valor agregado; existen otras alternativas de envase.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SIRA16DP-T1-GE3CT-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SIRA16DP-T1-GE3

Descripción MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 16 A (Ta) PowerPAK® SO-8

Documentos y medios
Hojas de datos PowerPak SO-8 Drawing
Módulos de capacitación sobre el producto 30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 16 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 47nC @ 10V
Vgs (máx.) +20 V, -16 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2060pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) -
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.8 mOhm a 15 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
Número de pieza base SIRA16
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SIRA16DP-T1-GE3CT

03:52:16 2/19/2018

Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SIRA16DP-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.25201
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